Влияние условий осаждения на просветляющие свойства …
Рассчитана оптимальная толщина пленок для максимального увеличения плотности тока короткого замыкания кремниевых солнечных элементов в условиях освещения АМ1.5 и АМ0. PACS: 81.05.Uw
Рассчитана оптимальная толщина пленок для максимального увеличения плотности тока короткого замыкания кремниевых солнечных элементов в условиях освещения АМ1.5 и АМ0. PACS: 81.05.Uw
Рассчитана оптимальная толщина пленок для максимального увеличения плотности тока короткого замыкания кремниевых солнечных элементов в условиях освещения АМ1.5 и АМ0. PACS: 81.05.Uw
новлено, что оптимальная толщина базы порядка 100 мкм достигается при скорости по верхностной рекомбинации около 3 см / с.
Аморфный кремний тонкопленочных солнечных элементов процесс производства прост, низкая температура подложки, легко применять процесс интеграции и большой площади производства, и PECVD и …
Процесс PECVD нитрида кремния включает в себя осаждение тонкой пленки нитрида кремния на кремниевые пластины с помощью химического осаждения из паровой фазы с усилением плазмы (PECVD).
422 Секция 6. Оборудование и технология 11-я Международная конференция «заимодействие излучений с твердым телом», 23-25 сентября 2015 г., Минск, ;еларусь 11th International Conference ³Interaction of Radiation with …
Установлено, что оптимальная толщина пленки 2 составляет 50100 нм, что способствует повышению коэффициента полезного действия перовскитовых солнечных элементов.
Современные фундаментальные и прикладные исследования в приборостроении
Разработка антибликовой пленки для солнечных батарей может значительно ... химическое осаждение из паровой фазы антиотражающих покрытий из нитрида кремния широко используется ...
На рис. 1 показаны результаты расчета спектральных за-висимостей коэффициента отражения поверхно-сти раздела воздух – кремний для однослойного …
Для улучшения качества структур на основе оксида и нитрида кремния с кремниевыми нанокристаллами, изготовленных методом PECVD, необходимо контролировать размер, форму и концентрацию нанокристаллов кремния, а также ...
DOI: 10.22184/1993-7296 os.2022.16.4.296.304 Corpus ID: 251653775 Исследование технологии осаждения пленок нитрида кремния для применения в фотонных интегральных схемах Optical waveguide propagation loss due to …
Почему важно выбрать правильную толщину пленки для теплицы? Одной из главных функций пленки в теплице является сохранение тепла. Толщина пленки определяет ее способность задерживать тепло внутри теплицы.
Солнечные элементы на основе аморфного гидрогенизированного кремния, полученные в ...
Разработка антибликовой пленки для солнечных батарей может значительно уменьшить отражение солнечного света на поверхности батареи, увеличить поток …
Тонкие пленки нитрида кремния чаще всего являются изолирующим слоем в кремниевой ... что формирует бездефектные эпитаксиальные слои кремния для получения интенсивной ...
Кроме того, этап отжига, который был необходим для достижения эффектов пассивации пленки оксида алюминия в прошлом, может быть устранен, резко снижая расходы. 5 з.п. ф-лы, 7 ил.
Для приготовления источника на основе спиртового раствора ортофосфорной кислоты растворы этилового спирта и кислоты смешивались в отношении 1:1
Средняя толщина пленки нитрида алюминия, приходящаяся на один цикл атомно-слоевого осаждения (постоянная роста) при 200°С, составляет ~0.8 …
Для осаждения просветляющих покрытий и покрытий из других материалов было разработано электроразрядное устройство простой конструкции с цилиндрическим …
характерной для солнечных элементов, исполь-зование даже оптимального материала и толщи-ны пленки не дает необходимого результата. Основная часть Расширить спектральный диапазон просвет
Поликристаллические тонкие пленки нитрида бора (ВМД нанесенные при низких температурах (< 200 С), являются хорошим антибликовым покрытием для солнечных элементов из-за их спектральной ...
PDF | Приглашенный доклад Invited presentation | Find, read and cite all the research you need on ResearchGate
Способ изготовления солнечного элемента и изготовленный с помощью этого способа ...
Теллурид кадмия (CdTe), селенид меди-индия-галлия (CIGS) и селенид меди-индия (CIS) составляют еще одну важную группу тонкопленочных солнечных технологий.Рекорд эффективности установлен на 22.1% для CdTe, 22.2% для CIGS и 23.5% для СНГ.
Показано, что для кристаллизации пленки толщиной порядка 800 нм лазерным излучением с наносекундной длительностью импульса оптимальная плотность энергии составляет 600700 мДжсм2, когда температура по толщине пленки
гии экстракционно-пиролитическим методом нанокристаллические тонкие пленки Ti2ZnO5 обеспечили защиту кремния
В первом случае в качестве исходной матрицы предлагается использовать многослойные пленки оксида и нитрида кремния, а во втором – слои аморфного …
Целью настоящей работы является теоретическая оценка толщины пористого слоя кремния над плоскостью p n -перехода, обеспечивающей максимум генерации …